List of Publications

Last modified : Feb. 08, 2013. 15:37:31
List of [Okada, 岡田] in authors

Journal Papers

**TOkada_2012_JJAP**
Tatsuya Okada, Jean de Dieu Mugiraneza, Katsuya Shirai, Toshiharu Suzuki, Takashi Noguchi, Hideki Matsushima, Takao Hashimoto, Yoshiaki Ogino, and Eiji Sahota,
Crystallization of Si Thin Film on Flexible Plastic Substrate by Blue Multi-Laser Diode Annealing,
Japanese Journal of Applied Physics, 51 (2012) 03CA02 (3 pages).
DOI: 10.1143/JJAP.51.03CA02
(published online March 21, 2012)
**JDMugiraneza_2012_JKPS**
Jean de Dieu Mugiraneza, Katsuya Shirai, Toshiharu Suzuki, Tatsuya Okada and Takashi Noguchi, Hideki Matsushima, Takao Hashimoto, Yoshiaki Ogino and Eiji Sahota,
Crystallization of Silicon Films of Submicron Thickness by Blue-Multi-Laser-Diode Annealing,
Journal of the Korean Physical Society, Vol. 60, No. 1 (2012) pp.88-93.
DOI: 10.3938/jkps.60.88
(published : 2012 Jan., BLDA)
**KMakihara_2011_JJAP**
K. Makihara, K. Matsumoto, M. Yamane, T. Okada, N. Morisawa, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki,
Formation of High Density Pt Nanodots on SiO2 Induced by Millisecond Rapid Thermal Annealing using Thermal Plasma Jet for Floating Gate Memory,
Japanese Journal of Applied Physics, 50 (2011) 08KE06 (4 pages).
DOI: 10.1143/JJAP.50.08KE06
(published online August 22, 2011)
**KShirai_2011_JJAP**
K. Shirai, J.D. Mugiraneza, T. Suzuki, T. Okada, T. Noguchi, H. Matsushima, T. Hashimoto, Y. Ogino, E. Sahota,
Crystallization Behavior of Sputtered Amorphous Silicon Films by Blue-Multi-Laser-Diode Annealing,
Japanese Journal of Applied Physics, 50 (2011) 021402-1-5.
DOI: 10.1143/JJAP.50.021402
(BLDA, published online February 21, 2011)
**JDMugiraneza_2010_JJAP**
J.D. Mugiraneza, T. Miyahira, A. Sakamoto, Y. Chen, T. Okada, T. Noguchi and T. Itoh,
Structural Characterization of Sputtered Silicon Thin Films after Rapid Thermal Annealing for Active-Matrix Organic Light Emitting Diode,
Japanese Journal of Applied Physics, 49 (2010) 121302-1-4.
DOI: 10.1143/JJAP.49.121302
(RTA)
**SHigashi_2010_JJAP**
S. Higashi, K. Sugakawa, H. Kaku, T. Okada and S. Miyazaki,
Characterization of Microcrystalline Silicon Thin Film Transistors Fabricated by Thermal Plasma Jet Crystallization Technique,
Japanese Journal of Applied Physics, 49 (2010) 03CA08 (4pages).
DOI: 10.1143/JJAP.49.03CA08
(TPJ, TFT)
**TOkada_2010_PSS**
T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, K. Makihara, H. Furukawa, Y. Hiroshige and S. Miyazaki,
Effect of chemical composition of SiO_x films on rapid formation of Si nanocrystals induced by thermal plasma jet irradiation,
physica status solidi (c), 7, No. 3-4 (2010) pp. 732-734.
DOI: 10.1002/pssc.200982804
(Proceedings of ICANS-23 / Published online : Feb 22, 2010 / TPJ, SiOx)
**HFurukawa_2009_JJAP**
H. Furukawa, S. Higashi, T. Okada, H. Murakami and S. Miyazaki,
Millisecond Rapid Thermal Annealing of Si Wafer Induced by High-Power-Density Thermal Plasma Jet Irradiation and Its Application to Ultrashallow Junction Formation,
Japanese Journal of Applied Physics, 48 (2009) 04C011 (4pages).
DOI: 10.1143/JJAP.48.04C011
((Received October 2, 2008; accepted November 13, 2008; published online April 20, 2009) / TPJ)
**TOkada_2008_ECST**
T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, H. Furukawa and S. Miyazaki,
Formation of Si Nanocrystals in SiO_x Films Induced by Thermal Plasma Jet Annealing and Its Application to Floating Gate Memory,
ECS Transactions, Volume 16, Issue 9 (2008) pp. 177-182.
DOI: 10.1149/1.2980548
(PRiME 2008 Joint International Meeting, held in Honolulu, Hawaii, October 12-17, 2008.)
**TYorimoto_2008_JJAP**
T. Yorimoto, S. Higashi, H. Kaku, T. Okada, H. Murakami, S. Miyazaki, T. Matsui, A. Masuda and M. Kondo,
Formation of Low-Defect-Concentration Polycrystalline Silicon Films by Thermal Plasma Jet Crystallization Technique,
Japanese Journal of Applied Physics, 47 (2008) pp. 6949-6952.
DOI: 10.1143/JJAP.47.6949
(August 22, 2008)
**HFurukawa_2008_ECST**
H. Furukawa, S. Higashi, T. Okada, H. Kaku, H. Murakami and S. Miyazaki,
In-situ Monitoring of Si Wafer Temperature during Millisecond Rapid Thermal Annealing,
ECS Transactions, Volume 13, Issue 1 (2008) pp. 31-36.
DOI: 10.1149/1.2911482
(213th ECS Meeting, May 18 - May 23, 2008, Phoenix, AZ)
**HFurukawa_2008_JJAP**
H. Furukawa, S. Higashi, T. Okada, H. Kaku, H. Murakami and S. Miyazaki,
In-situ Measurement of Temperature Variation in Si Wafer during Millisecond Rapid Thermal Annealing Induced by Thermal Plasma Jet Irradiation,
Japanese Jounal of Applied Physics, 47 (2008) pp. 2460-2463.
DOI: 10.1143/JJAP.47.2460
(April 25, 2008)
**TOkada_2008_TSF**
T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, N. Koba, H. Murakami and S. Miyazaki,
Effect of He addition on the heating characteristics of substrate surface irradiated by Ar thermal plasma jet,
Thin Solid Films, 516 (2008) pp. 3680-3683.
DOI: 10.1016/j.tsf.2007.08.090
(April 1, 2008 / Proceedings of the International Symposium on Dry Process (DPS 2006))
**TOkada_2008_SSE**
T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, T. Yorimoto, H. Murakami and S. Miyazaki,
Growth of Si crystalline in SiO_x films induced by millisecond rapid thermal annealing using thermal plasma jet,
Solid-State Electronics, 52 (2008) pp. 377-380.
DOI: 10.1016/j.sse.2007.10.007
(March, 2008 / Special Issue: Papers Selected from the 3rd International TFT Conference -ITC'07)
**TYorimoto_2007_MRSJ_trans**
T. Yorimoto, S. Higashi, H. Kaku, T. Okada, H. Murakami, S. Miyazaki, M. Maki and T. Sameshima,
Electrical Characteristics of Lightly-Doped Si Films Crystallized by Thermal Plasma Jet Irradiation,
Transactions of the Materials Research Society of Japan, Vol.32 No.2 (2007) pp. 465-468.
((June))
**TOkada_2007_TSF**
T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, N. Koba, H. Murakami and S. Miyazaki,
Control of Substrate Surface Temperature in Millisecond Annealing Technique Using Thermal Plasma Jet,
Thin Solid Films, 515 (2007) pp. 4897-4900.
DOI: 10.1016/j.tsf.2006.10.049
(April 23, 2007 / The Third International Symposium on Dry Process (DPS 2005))
**TOkada_2006_JJAP**
T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, N. Koba, H. Murakami and S. Miyazaki,
Analysis of Transient Temperature Profile During Thermal Plasma Jet Annealing of Si Films on Quartz Substrate,
Japanese Journal of Applied Physics, 45 (2006) pp. 4355-4357.
DOI: 10.1143/JJAP.45.4355
(May 25, 2006)
**SHigashi_2006_JJAP**
S. Higashi, H. Kaku, T. Okada, H. Murakami and S. Miyazaki,
Crystallization of Si in Millisecond Time Domain Induced by Thermal Plasma Jet Irradiation,
Japanese Journal of Applied Physics, 45 (2006) pp. 4313-4320.
DOI: 10.1143/JJAP.45.4313
([Review Paper] / May 25, 2006)

Reports

**SHigashi_2006_OYO_BUTURI**
S. Higashi, H. Kaku and T. Okada,
Crystallization of amorphous Si films by thermal-plasma-jet-induced ultrarapid thermal annealing and application to thin-film transistor fabrication,
OYO BUTURI, Vol. 75, No. 7, (2006) pp.882-886.
東清一郎, 加久博隆, 岡田竜弥,
DC熱プラズマジェットを用いた超急速熱処理による非晶質シリコン膜の結晶化とそのTFT応用,
応用物理第75巻第7号 (2006年 7月号) 研究紹介 pp.882-886.
(http://www.jsap.or.jp/ap/2006/ob7507/p750882.html)

Proceedings of International Conference

**TNoguchi_2013_MRS** NOT AVAILABLE

(April 4, A16.02)
**TOkada_2013_ITC** NOT AVAILABLE
ITC2013
**SChinen_2013_ITC** NOT AVAILABLE
ITC2013
**KYagi_2012_IDW**
Keisuke Yagi, Tatsuya Okada, Takashi Noguchi and Kazufumi Azuma,
Electrical Characterization of Nitrogen-Excess SiNx Films Deposited by Surface Wave Plasma Chemical Vapor Deposition,
Proc. of The International Display Workshop (Kyoto, December 4-7, 2012) pp.925-927 [AMDp2-7].
**KSugihara_2012_IDW**
Kouya Sugihara, Satoshi Chinen, Haruya Goga, Katsuya Shirai, Tatsuya Okada and Takashi Noguchi,
Proposal of MICRO-Poly Si Film Structure with High Photo-Sensitive PIN-Diode for Advanced FPD,
Proc. of The International Display Workshop (Kyoto, December 4-7, 2012) pp.929-931. [AMDp2-8].
**TMukae_2012_IMID**
Tomoyuki Mukae, Kouya Sugihara, Takaki Sugihara, Katsuya Shirai, Tatsuya Okada, Takashi Noguchi, and Tadashi Ohachi,
Proposal of MICRO-Poly Si TFT for Advanced FPD with High Photo-Sensitive PIN-Diode by BLDA,
The 12th International Meeting on Information Display (Eaegu, Korea, August 28-31, 2012) pp.15-16. [2-2].
(oral: August 29, 2012)
**KShirai_2012_IMID**
Katsuya Shirai, J. D. Mugiraneza, Tatsuya Okada, Toshiharu Suzuki, and Takashi Noguchi,
Uniform Micro Poly-Si Grains in Smooth Films with (111) Preferred Orientation by Blue-Multi-Laser-Diode Annealing (BLDA),
The 12th International Meeting on Information Display (Eaegu, Korea, August 28-31, 2012) pp.15-16. [2-3].
(oral: August 29, 2012)
**TOkada_2012_AWAD**
Tatsuya Okada, Jean de Dieu Mugiraneza, Katsuya Shirai, Takuma Nishinohara, Tomoyuki Mukae, Keisuke Yagi, and Takashi Noguchi,
Crystallization of a-Si Films with Smooth Surface Using Blue-Multi-Laser-Diode-Annealing,
2012 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (June 27-29, 2012, Naha) pp.85-87 [4C-1].
(oral: June 27)
**TNishinohara_2012_AWAD**
Takuma Nishinohara, J. D. Mugiraneza, Katsuya Shirai, Tatsuya Okada, and Takashi Noguchi,
Characterization of Optimized Sputtered Poly-Si Films by Blue-Multi-Laser-Diode Annealing for High Performance Displays,
2012 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (June 27-29, 2012, Naha) pp.88-90 [4C-2].
(oral: June 27)
**TNoguchi_2012_AWAD**
Takashi Noguchi, Takuma Nishinohara, Jean de Dieu Mugiraneza, Katsuya Shirai, and Tatsuya Okada,
Effective Annealing of Si Films as an advanced LTPS,
2012 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (June 27-29, 2012, Naha) pp.91-94 [4C-3].
(oral: June 27)
**TNoguchi_2012_SID**
Takashi Noguchi, Takuma Nishinohara, Jean de Dieu Mugiraneza, Katsuya Shirai, Tatsuya Okada, Taketsugu Itoh,
Crystallization of amorphous silicon films on flexible glass by Blue-Multi-Diode-Laser Annealing as a new LTPS,
Information Display's Display Week 2012 (Boston, Massachusetts USA, June 3-8, 2012) pp. 1129-1132 [P-140L].
DOI: 10.1002/j.2168-0159.2012.tb05992.x
(Late News, Poster Session (Poster Number P.140))
**TNishinohara_2011_IDW**
Takuma Nishinohara, Jean de Dieu Mugiraneza, Katsuya Shirai, Toshiharu Suzuki, Tatsuya Okada, Takashi Noguchi, Tadashi Ohachi, Hideki Matsushima, Takao Hashimoto, Yoshiki Ogino, Eiji Sahota,
Effective activation of the sputtered P-doped-Si film for high performance poly-Si TFT,
The 18th International Display Workshop (Nagoya, December 7-9, 2011) pp.1649-1652 [AMD6-1].
(oral: Dec. 9)
**RAshihara_2011_DPS**
R. Ashihara, T. Okada, Y. Nishida and S. Higashi,
Development of Noncontact Measurement of SiC Wafer Temperature during Millisecond Rapid Annealing Induced by Atmospheric Pressure Thermal Plasma Jet Irradiation,
33rd International Symposium on Dry Process (November 10-11, 2011, Kyoto) pp.157-158 [E-1].
**KYagi_2011_ICTF**
Keisuke Yagi, Tatsuya Okada and Takashi Noguchi,
Electrical Characterization of SiN Films Deposited by Reactive RF Sputtering,
15th International Conference on Thin Film 2011 (Kyoto, November 8-11, 2011) p.79 [P-S2-30].
(poster: November 8)
**TOkada_2011_ICTF**
Tatsuya Okada, Jean de Dieu Mugiraneza, Katsuya Shirai, Toshiharu Suzuki, Takashi Noguchi, Hideki Matsushima, Takao Hashimoto, Yoshiaki Ogino and Eiji Sahota,
Crystallization of 20-nm-thick Si Films Deposited by RF Sputtering Using Blue-Multi-Laser-Diode Annealing ,
15th International Conference on Thin Film 2011 (Kyoto, November 8-11, 2011) p.51 [P-S2-02].
(poster: November 8)
**TNoguchi_2011_AWAD**
Y. Chen, J.D. Mugiraneza, K. Shirai, T. Okada, ○T. Noguchi and T. Ohachi,
Proposal of High Conversion Efficiency Thin-Film Si Solar Cell,
2011 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (Daejeon, Korea, June 29 - July 1, 2011) pp.250-252 [3B.5].
**JDMugiraneza_2011_AMFPD**
Jean de Dieu Mugiraneza, Katsuya Shirai, Toshiharu Suzuki, Tatsuya Okada, Takashi Noguchi, Hideki Matsushima1, Takao Hashimoto1, Yoshiaki Ogino1, Eiji Sahota1,
Crystallization of Si thin film on flexible plastic substrate by using Blue Multi-Laser Diode Annealing,
The eighteenth International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (Kyoto, July 11-13, 2011) pp.275-276 [L-2].
(LateNews, oral July 13.)
**TOkada_2011_ITC**
Tatsuya Okada*1, Jean de Dieu Mugiraneza1, Katsuya Shirai1, Toshiharu Suzuki1, Takashi Noguchi1,Hideki Matsushima2, Takao Hashimoto2, Yoshiaki Ogino2, and Eiji Sahota2,
Thickness dependence on Crystallization of Si Thin Films by Blue-Multi-Laser-Diode Annealing,
7th International Thin-Film Transistor Conference 2011 (Cambridge, UK, March 3-4, 2011) p. 82 [MP12].
(Poster March 4)
**TNoguchi_2011_ITC**
Takashi Noguchi *1, Jean de Dieu Mugiraneza1, Katsuya Shirai1, Toshiharu Suzuki1, Tatsuya Okada 1, Hideki Matsushima2, Takao Hashimoto2, Yoshiaki Ogino2, and Eiji Sahota2,
Efficient Activation of Impurity in Sputtered Si Films after Blue-Laser-Diode Annealing (BLDA),
7th International Thin-Film Transistor Conference 2011 (Cambridge, UK, March 3-4, 2011) p. 27 [DI/s1].
(Oral: March 3)
**JDMugiraneza_2010_IDW**
Jean de Dieu Mugiraneza1, Katsuya Shirai 1, Toshiharu Suzuki1, Tatsuya Okada 1, Takashi Noguchi1, Hideki Matsushima2, Takao Hashimoto2, Yoshiaki Ogino 2, Eiji Sahota 2,
Crystallization of sputtered Si films by blue laser diode annealing (BLDA) for photo-sensor application,
The 17th International Display Workshops (Fukuoka, Japan, December 1-3, 2010) pp.689-692 [AMDp-13].
**KShirai_2010_IDW**
Katsuya Shirai1, Jean de Dieu Mugiraneza1, Toshiharu Suzuki1, Tatsuya Okada1, Takashi Noguchi1, Hideki Matsushima2, Takao Hashimoto2, Yoshiaki Ogino2, Eiji Sahota2,
Dependence of poly-crystallization on Scanning Velocity of Blue-Multi-Laser-Diode Annealing (BLDA),
The 17th International Display Workshops (Fukuoka, Japan, December 1-3, 2010) pp.699-702 [AMDp-16].
**KMakihara_2010_DPS**
K. Makihara1, K. Matsumoto1, T. Okada2, N. Morisawa1, M. Ikeda1, S. Higashi1, S. Miyazaki3,
Formation of High Density Pt Nanodots on SiO2 Induced by Millisecond Rapid Thermal Annealing using Thermal Plasma Jet,
32th International Symposium on Dry Process (Tokyo, November 11-12, 2010) pp. 93-94 [B-4].
(oral: Nov. 11)
**JDMugiraneza_2010_ITC**
J. D. Mugiraneza, T. Miyahira, A. Sakamoto, Y. Chen, T. Okada, T. Noguchi and T. Itoh,
Rapid Thermal Anneal (RTA) Effect on Si Film Sputtered on Thermally Durable Glass Substrate,
Proceedings of the 6th International Thin-Film Transistor Conference 2010 (Hyogo, January 28-29, 2010) pp. 254-257 [St1].
(oral: Jan. 29)
**KMatsumoto_2009_SSDM**
K. Matsumoto, S. Higashi, H. Furukawa, T. Okada, H. Murakami and S. Miyazaki,
Activation of B and As in Ultra Shallow Junction with Heating and Cooling Rates Controlled Millisecond Annealing Induced by Thermal Plasma Jet,
Solid State Devices and Materials (Miyagi, October 7-9, 2009) pp. [B-8-5].
(oral: Oct.9)
**TOkada_2009_ICANS_abst**
T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, K. Makihara, H. Furukawa, Y. Hiroshige, S. Miyazaki,
Effect of Chemical Composition of SiO_x Films on Rapid Formation of Si Nanocrystals Induced by Thermal Plasma Jet Irradiation,
23rd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors (Utrecht, Netherlands, August 23-28, 2009) p.365.
(oral: Aug. 27)
**KMakihara_2009_ICANS_abst**
K. Makihara, Y. Miyazaki, T. Okada, H. Kaku, K. Shimanoe, A. Ohta, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki,
Selective Crystallization of a-Ge:H Thin Films by Pt-coating and Exposing to Remote H₂ Plasma,
23rd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors (Utrecht, Netherlands, August 23-28, 2009) p.436.
(oral: Aug. 26)
**KSugakawa_2009_AMFPD**
K. Sugakawa, S. Higashi, H. Kaku, T. Okada and S. Miyazaki,
Characterization of Microcrystalline Silicon Thin Film Transistors Fabricated by Thermal Plasma Jet Crystallization Technique,
2009 The Sixteenth International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (Nara, July 1-3, 2009) pp.117-120 [P-4].
(poster:)
**TOkada_2009_MRS_abst**
T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, H. Furukawa, K. Sugakawa and S. Miyazaki,
Si Nanocrystals Formation in SiO₂/SiO_x/SiO₂ Stack Structure by Thermal Plasma Jet Annealing and Its Application to Floating Gate Memory,
Material Research Society Spring Meeting (San Francisco, April 13-17, 2009) [A19.8].
(poster:April 16 / SESSION A19: Poster Session: Novel Device Applications)
**NKoba_2009_ITC**
N. Koba, S. Higashi, T. Okada, H. Murakami and S. Miyazaki,
A Novel Millisecond Crystallization Technique Using Si Micro Liquid,
Proc. of The 5th International Thin-Film Transistor Conference 2009 (Ecole Polytechnique, France, March 5-6, 2009) pp. 263-366 [10.4].
(oral:March 6)
**HFurukawa_2008_DPS**
H. Furukawa, S. Higashi, T. Okada, H. Murakami and S. Miyazaki,
Generation of High Density Thermal Plasma Jet and Its Application to Millisecond Annealing of Si Wafer Surface for Shallow Junction Formation,
30th International Symposium on Dry Process (Tokyo, November 26-28, 2008) pp. 267-268 [8-2].
(oral:Nov.28 / Award)
**TOkada_2008_ECS**
T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, H. Furukawa and S. Miyazaki,
Formation of Si Nanocrystals in SiO_x Films Induced by Thermal Plasma Jet Annealing and Its Application to Floating Gate Memory,
The Electrochemical Society's 214th Meeting (Honolulu, Hawaii, October 12-17, 2008) #2283.
((oral:Oct.14)THIN FILM TRANSISTOR TECHNOLOGIES IX)
**HFurukawa_2008_SSDM**
H. Furukawa, S. Higashi, T. Okada, H. Murakami and S. Miyazaki,
Millisecond Rapid Thermal Annealing of Si Wafer Induced by High Density Thermal Plasma Jet Irradiation,
Extended Abstracts of the 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials (Tsukuba, September 24-26, 2008) pp. 852-853 [A-9-2].
(oral:September 26)
**TOkada_2008_ICMAP**
T. Okada, S. Higashi, H. Kaku and S. Miyazaki,
Photoluminescent Properties of Thermal Plasma Jet Annealed SiO_x Films Prepared by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,
1st International Conference on Microelectronics and Plasma Technology (Jeju, Korea, August 18-20, 2008) p. ?? [OS22].
((oral:Aug.19))
**HKaku_2008_AMFPD**
H. Kaku, S. Higashi, T. Yorimoto, T. Okada, H. Furukawa and S. Miyazaki,
Application of Thermal Plasma Jet Annealing to Channel Crystallization and Doping for Thin Film Transistor Fabrication,
2008 The Fifteenth International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (Tokyo, July 2-4, 2008) pp.33-36 [3-3].
(oral)
**HFurukawa_2008_ECS**
H. Furukawa, S. Higashi, T. Okada, H. Kaku, H. Murakami and S. Miyazaki,
In-situ Monitoring of Si Wafer Temperature during Millisecond Rapid Thermal Annealing,
ECS 213th Meeting (Phoenix, Arizona, May 18-23, 2008) #620.
(oral)
**TYorimoto_2008_MRS**
T. Yorimoto, S. Higashi, H. Kaku, T. Okada, H. Murakami, S. Miyazaki, T. Matsui, A. Masuda and M. Kondo,
Formation of Low-Defect-Concentration Polycrystalline Si Films by Thermal Plasma Jet Crystallization and Their application to Thin-Film Transistor,
Material Research Society (San Francisco, March 24-28, 2008) [A12.3].
(oral:March 27 A12.3)
**TOkada_2008_ICPLANTS**
T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, T. Yorimoto, H. Murakami and S. Miyazaki,
Photoluminescent Properties of SiO_x Films Formed by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,
The 1st International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (Nagoya, March 13-14, 2008) p. ?? [P-10].
((poster))
**HKaku_2008_ICPLANTS**
H. Kaku, S. Higashi, H. Furukawa, T. Okada, T. Yorimoto, H. Murakami and S. Miyazaki,
Impact of Annealing condition on the Efficiency of Dopant Activation Induced by Thermal Plasma Jet Crystallization of Heavily-Phosphorus-Doped Amorphous Si films,
The 1st International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (Nagoya, March 13-14, 2008) p. ?? [P-05].
((poster))
**HKaku_2008_ITC**
H. Kaku, S. Higashi, T. Yorimoto, T. Okada, H. Furukawa, H. Murakami and S. Miyazaki,
Formation of Source and Drain for Polycrystalline Si Thin Film Transistors Using Thermal Plasma Jet Induced Impurity Activation,
Proc. of Int. TFT Conference, 2008 (Seoul, Korea, January 24-25, 2008) pp. 331-334.
**TYorimoto_2007_DPS**
T. Yorimoto, S. Higashi, H. Kaku, T. Okada, H. Murakami, S. Miyazaki, T. Matsui, A. Masuda, M. Kondo,
Formation of Low-Defect-Concentration Polycrystalline Si Films by Thermal Plasma Jet Crystallization Technique,
2007 Int. Symposium on Dry Process (DPS) (Tokyo, November 13-14, 2007) pp. 157-158 [8-03].
(DPS2007 Young Researcher Award)
**HKaku_2007_ISCSI**
H. Kaku, S. Higashi, H. Furukawa, T. Okada, T. Yorimoto, H. Murakami and S. Miyazaki,
High Efficiency Dopant Activation Induced by Thermal Plasma Jet Crystallization of Heavily-Phosphorus-Doped Amorphous Si Films,
5th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (Tokyo, November 12-14, 2007) pp. 51-52.
**MIkeda_2007_RIEC**
M. Ikeda, R. Matsumoto, K. Shimanoe, T. Okada, K. Makihara, S. Higashi and S. Miyazaki,
Charge Injection Characteristics of NiSi-Dots/Sillicon-Quantum-Dots Stacked Floating Gate in MOS Capacitors,
3rd International Workshop in New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (Tohoku University, Sendai, Japan, November 8-9, 2007) pp. 35-36 [P-08].
**KSugakawa_2007_LPSD**
K. Sugakawa, S. Higashi, H. Kaku, T. Okada, H. Murakami and S. Miyazaki,
Rapid Phase Transformation of Amorphous Ge Films Induced by Semiconductor Diode Laser Irradiation,
Abst. of Laser Processing for Semiconductor Devices : sciences and technology (LPSD) (Sain-Malo, France, October 1-2, 2007) p. 23 [LA-8].
**HFurukawa_2007_SSDM**
H. Furukawa, S. Higashi, T. Okada, H. Kaku, H. Murakami and S. Miyazaki,
In-situ Measurement of Temperature Variation in Si Wafer During Millisecond Rapid Thermal Annealing Induced by Thermal Plasma Jet Irradiation,
Solid State Device and Materials (Tsukuba, September 18-21, 2007) pp. 376-377 [P-1-27L].
(in series of JJAP)
**HKaku_2007_AMFPD**
H. Kaku, S. Higashi, H. Furukawa, T. Okada, T. Yorimoto, H. Murakami and S. Miyazaki,
Dopant Activation Induced by Thermal Plasma Jet Crystallization of Heavily-Phosphorus-Doped Amorphous Si films,
Dig. Tech. Papers of the fourteenth international workshop on ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAY AND DEVICES (Awaji, July 11-13, 2007) pp. 33-36.
**HKaku_2007_MRS**
H. Kaku, S. Higashi, T. Okada, T. Yorimoto, H. Murakami and S. Miyazaki,
High Efficiency Activation of Phosphorus Atoms Induced by Thermal Plasma Jet Crystallization of Doped Amorphous Si Films,
Abst. of Mat. Res. Soc. (San Francisco, April 9-13, 2007) [A13.5] p. 27.
**SHigashi_2007_JananNANO**
S. Higashi, H. Kaku, T. Okada, H. Murakami and S. Miyazaki,
Ultrarapid thermal annealing induced by DC arc discharge plasma jet its application,
Proc. 5th Int. Symp. Nanotechnology JAPAN NANO 2007 (Tokyo, Japan, February 20-21, 2007) pp. 144-145.
**TOkada_2007_ITC**
T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, T. Yorimoto, H. Murakami and S. Miyazaki,
Growth of Si Crystalline in SiO_x Films Induced by Millisecond Rapid Thermal Annealing Using Thermal Plasma Jet,
Proc. 3rd Int. TFT Conf. (Rome, Italy, January 25-26, 2007) pp. 82-85 [5a.3].
(in series of Solid-State Electronics, 52 (2008) 377. (oral:Jan. 25))
**SHigashi_2007_ITC**
S. Higashi, T. Yorimoto, T. Okada, H. Kaku, H. Murakami and S. Miyazaki,
Comparison of Defect Densities in Excimer Laser and Thermal Plasma Jet Crystallized Si Films,
Proc. 3rd Int. TFT Conf. (Rome, Italy, January 25-26, 2007) pp. 204-207 [P21].
((poster:Jan. 25))
**TYorimoto_2006_MRSJ**
T. Yorimoto, S. Higashi, H. Kaku, T. Okada, H. Murakami, S. Miyazaki, M. Maki and T. Sameshima,
Electrical Characteristics of Lightly-Doped Si Films Crystallized by Thermal Plasma Jet Irradiation,
Abst. of Material Research Society Japan(Tokyo, December 8-10, 2006).
**TOkada_2006_DPS**
T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, N. Koba, H. Murakami and S. Miyazaki,
Effect of He Addition on the Heating Characteristics of Substrate Surface Irradiated by Ar Thermal Plasma Jet,
Proc. Int. Symposium on Dry Process (Nagoya, November 29-30, 2006) pp. 317-318 [9-64].
(in series of Thin Solid Films, 516 (2008) 3680. (poster))
**TOkada_2006_ICASE**
T. Okada, S. Higashi, N. Koba, H. Kaku, H. Murakami and S. Miyazaki,
Impact of He Addition on the Substrate Surface Temperature During Rapid Thermal Annealing Induced by Ar Thermal Plasma Jet Irradiation,
Abst. of 8th International Conference on Advanced Surface Engineering (Tokyo, April 25-26, 2006) p. 73 [PB-21].
((poster))
**HKaku_2006_MRS_proc**
H. Kaku, S. Higashi, T. Okada, H. Murakami and S. Miyazaki,
Correlation Between Annealing Temperature and Crystallinity of Si Films Prepared by Thermal Plasma Jet Crystallization Technique,
Mater. Res. Soc. Symp. Proc., Vol. 910 (2006) p. A21-18.
**HKaku_2006_MRS**
H. Kaku, S. Higashi, T. Okada, H. Murakami and S. Miyazaki,
Correlation between Annealing Temperature and Crystallinity of Si Films Prepared by Thermal Plasma Jet Crystallization Technique,
Abst. of Mat. Res. Soc. (San Francisco, CA , April 17-21, 2006) [A21.18].
**HKaku_2006_ITC**
H. Kaku, S. Higashi, T. Okada, H. Murakami and S. Miyazaki,
Direct Observation of Millisecond Phase Transformation in a-Si Films Induced by Thermal Plasma Jet Irradiation,
Proc. of Int. TFT Conference (Kitakyushu, January 19-20, 2006) pp. 214-217.
**TOkada_2005_DPS**
T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, N. Koba, H. Murakami and S. Miyazaki,
Control of Substrate Surface Temperature in Millisecond Annealing Technique Using Thermal Plasma Jet,
Proc. Int. Symp. on Dry Process (Jeju, Korea, November 28-30, 2005) pp. 405-406 [12-02].
(in series of Thin Solid Films 515 (2007) 4897. (oral))
**TOkada_2005_AMLCD**
T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, H. Murakami and S. Miyazaki,
Analysis of Transient Temperature Profile During Thermal Plasma Jet Annealing of Si Films on Quartz Substrate,
Dig. Tech. Papers of 2005 Int. Workshop on Active-Matrix Liquid-Crystal Displays (Kanazawa, July 6-8, 2005) pp. 171-174 [TFTp1-3].
(in series of Jpn. J. Appl. Phys., 45 (2006) 4355. (poster))
**HKaku_2005_IMFED**
H. Kaku, S. Higashi, T. Okada, H. Murakami, S. Miyazaki, H. Watakabe, N. Andoh and T. Sameshima,
Fabrication of Polycrystalline Si Thin Film Transistor using Plasma Jet Crystallization Technique,
Abst. of 2005 Int. Meeting for Future of Electron Devices (Kyoto, April 11-13, 2005) pp. 91-92 [P-D4].

国内学会

**TOkada_2013_JSAPsp**
Tatsuya Okada, Keisuke Yagi, Kimihiko Imura, and Takashi Noguchi,
Electrical Characterization of SiNx Films Deposited by Reactive RF Sputtering,
Journal
岡田竜弥, 屋冝佳佑, 井村公彦, 野口隆,
反応性スパッタ製膜したSiNx膜の電気特性評価,
第60回応用物理学会春季学術講演会 (神奈川工科大学, 2013年3月27-30日) p.??-?? [???].
**TNighinohara_2013_JSAPsp1**
Takuma Nishinohara, Satoshi Chinen, Tatsuya Okada, and Takashi Noguchi,
Title,
Journal
西ノ原拓磨, 知念怜, 岡田竜弥, 野口隆,
第60回応用物理学会春季学術講演会 (神奈川工科大学, 2013年3月27-30日) p.??-?? [???].
**TNighinohara_2013_JSAPsp2**
Takuma Nishinohara, Satoshi Chinen, Tatsuya Okada, and Takashi Noguchi,
Title,
Journal
西ノ原拓磨, 知念怜, 岡田竜弥, 野口隆,
第60回応用物理学会春季学術講演会 (神奈川工科大学, 2013年3月27-30日) p.??-?? [???].
**JDMugiraneza_2012_JSAPsp**
Jean de Dieu Mugiraneza, Katsuya Shirai, Tatsuya Okada, Takuma Nishinohara, Keisuke Yagi, and Takashi Noguchi,
Characterization of Sputtered Poly-Silicon films by Using Blue-Multi-Laser-Diode Annealing for High Performance Displays,
Journal
第59回応用物理学関係連合講演会 (早稲田大学, 2012年3月15-18日) p.13-133 [17a-A6-7].
**TOkada_2012_JSAPsp**
Tatsuya Okada, Jean de Dieu Mugiraneza, Katsuya Shirai, Takuma Nishinohara, Tomoyuki Mukae, Keisuke Yagi, Takashi Noguchi, Kazuhisa Inoue, Kazuo Yamada, Masahito Hasegawa,
Crystallization of Sputtered a-Si Films with Smooth Surface Using Blue-Multi-Laser-Diode-Annealing,
Journal
岡田竜弥, Mugiraneza J. D., 白井克弥, 西ノ原拓磨, 向智之, 屋冝佳佑, 野口隆, 井上和久, 山田一雄, 長谷川正仁,
スパッタ製膜したa-Si膜のブルーレーザアニール法による平坦な結晶化,
第59回応用物理学関係連合講演会 (早稲田大学, 2012年3月15-18日) p.13-134 [17a-A6-8].
**KShirai_2012_JSAPsp**
Katsuya Shirai, J. D. Mugiraneza, Tatsuya Okada, Takashi Noguchi, Taketsugu Itoh,
Crystallization of a-Si thin films on flexible glass by Blue-Multi-Laser-Diode-Annealing,
Journal
白井克弥, Mugiraneza J. D., 岡田竜弥, 野口隆, 伊藤丈二,
ブルーレーザアニール法によるフレキシブルガラス基板上のアモルファスSi薄膜の結晶化,
第59回応用物理学関係連合講演会 (早稲田大学, 2012年3月15-18日) p.13-135 [17a-A6-9].
**KTanaka_2012_JSAPsp**
K. Tanaka, T. Okada, S. Hayashi, R. Ashihara, and S. Higashi,
Noncontact Measurement of Glass Substrate Temperature during Thermal-Plasma-Jet Induced Millisecond Annealing and Investigation on Crack Generation,
Journal
田中敬介, 岡田竜弥, 林将平, 芦原龍平, 東清一郎,
熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理におけるガラス基板の非接触温度測定及びクラック発生条件の解明,
第59回応用物理学関係連合講演会 (早稲田大学, 2012年3月15-18日) p.13-140 [17p-A6-3].
**TNoguchi_2012_JSAPsp**
NOGUCHI Takashi, OKADA Tatsuya, SHIRAI Katsuya, MUGIRANEZA J. Dieu, INOUE Kazuhisa, YAMADA Kazuo, HASEGAWA Masahito,
Improvement of Electrical Activation and Lowering Resistivity of Si Films using BLDA,
Journal
野口隆, 岡田竜弥, 白井克弥, ムギラネーザジャンディユ, 井上和久, 山田一雄, 長谷川正仁,
BLDAによるSi薄膜の活性化率向上と低抵抗化,
第59回応用物理学関係連合講演会 (早稲田大学, 2012年3月15-18日) p.13-142 [17p-A6-5].
**TOkada_2011_JSAPau**
Tatsuya Okada, Keisuke Tanaka, Kohei Sakaike, Takashi Noguchi, and Seiichiro Higashi,
Analysis of Thermal Stress in Substrate during Rapid Thermal Annealing,
Journal
岡田竜弥, 田中敬介, 酒池耕平, 野口隆, 東清一郎,
急速熱処理中の基板内熱応力解析,
第72回応用物理学会学術講演会 (山形大学, 2011年8月29-9月1日) p.13-132 [1p-M-1].
**RAshihara_2011_JSAPau**
R. Ashihara1, T. Okada2, Y. Nishida1, S. Higashi,
Development of Noncontact Measurement of SiC Wafer Temperature during Millisecond Rapid Annealing Induced by Atmospheric PressureThermal Plasma Jet,
Journal
芦原龍平, 岡田竜弥, 西田悠亮, 東清一郎,
大気圧熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理におけるSiCウェハの非接触温度測定技術の開発,
第72回応用物理学会学術講演会 (山形大学, 2011年8月29-9月1日) p.15-274 [31a-ZB-2].
**TOkada_2011_JSAPsp**
Tatsuya Okada, Jean de Dieu Mugiraneza, Katsuya Shirai, Toshiharu Suzuki, Takashi Noguchi, Hideki Matsushima, Takao Hashimoto, Yoshiaki Ogino, Eiji Sahota2,
Crystallization of 20 nm-thick Si Films by Blue-Multi-Laser-Diode Annealing (BLDA),
Journal
岡田竜弥, Mugiraneza J.D., 白井克弥, 鈴木俊治, 野口隆, 松島英紀, 橋本隆夫, 荻野義明, 佐保田英司,
スパッタ製膜した20 nm厚Si膜のブルーレーザアニールによる結晶化,
第58回応用物理学関係連合講演会 (神奈川工科大学, 2011年3月24-27日) p.13-144 [24a-P2-3].
(poster, 13.5 Siプロセス技術)
**TNoguchi_2011_JSAPsp**
T. NOGUCHI, J.D. MUGIRANEZA, T. OKADA, K. SHIRAI, T. SUZUKI, H. MATSUSHIMA, T. HASHIMOTO, Y. OGINO, E. SAHOTA,
BLDA as an advanced LTPS technique for next generation,
Journal
野口隆, MUGIRANEZA J.D., 岡田竜弥, 白井克弥, 鈴木俊治, 松島英紀, 橋本隆夫, 荻野義明, 佐保田英司,
次世代Si薄膜アニール技術としてのBLDA,
第58回応用物理学関係連合講演会 (神奈川工科大学, 2011年3月24-27日) p.153 [24p-BK-4].
(Symposium)
**HMatsushima_2011_JSAPsp**
H. Matsushima, T. Hashimoto, Y. Ogino, E. Sahota, J.D. Mugiraneza, K. Shirai, T. Suzuki, T. Okada, T. Noguchi,
Crystal grain control of Poly-Si film by Blue Multi Laser Diode Annealing (BLDA),
Journal
松島英紀, 橋本隆夫, 荻野義明, 佐保田英司, J.D. Mugiraneza, 白井克弥, 鈴木俊治, 岡田竜弥, 野口隆,
青色半導体レーザアニールによるPoly-Si薄膜の結晶粒径制御,
第58回応用物理学関係連合講演会 (神奈川工科大学, 2011年3月24-27日) p.13-143 [24a-P2-2].
(poster, 13.5 Siプロセス技術)
**KMakihara_2011_JSAPsp**
Katsunori Makihara, Morisawa Naoya, Tomohiro Fujioka, Tatsuya Matsumoto, Syohei Hayashi, Tatsuya Okada, Mitsuhisa Ikeda, Seiichiro Higashi and Seiichi Miyazaki,
Control of Pt Germanidation by Exposing Pt/a-Ge:H to Remote Hydrogen Plasma,
Journal
牧原克典, 森澤直也, 藤岡知宏, 松本竜弥, 林将平, 岡田竜弥, 池田弥央, 東清一郎, 宮崎誠一,
リモート水素プラズマ処理によるPt/a-Ge:H の合金化反応制御,
第58回応用物理学関係連合講演会 (神奈川工科大学, 2011年3月24-27日) p.13-161 [24a-P2-20].
(poster, 13.5 Siプロセス技術)
**TOkada_2010_JSAPau**
T. Okada, J. D. Mugiraneza, K. Shirai, T. Suzuki, T. Noguchi, H. Matsushima, T. Hashimoto, Y. Ogino, E. Sahota,
Thickness Dependence on Crystallization of Si Thin Films by Blue-Multi-Laser-Diode Annealing (BLDA),
Journal
岡田竜弥, Mugiraneza J.D., 白井克弥, 鈴木俊治, 野口隆, 松島英紀, 橋本隆夫, 荻野義明, 佐保田英司,
ブルーレーザアニール法を用いたSi薄膜の結晶化における膜厚依存性,
第71回応用物理学会学術講演会 (長崎大学, 2010年9月14-17日) p.13-151 [15p-ZD-11].
(oral:)
**KShirai_2010_JSAPau**
K. Shirai, J. D. Mugiraneza, T. Suzuki, T. Okada, T. Noguchi, H. Matsushima, T. Hashimoto, Y. Ogino, E. Sahota,
Dependence of crystallization on scanning velocity of Blue-Multi-Laser-Diode-Annealing,
Journal
白井克弥, Mugiraneza J.D., 鈴木俊治, 岡田竜弥, 野口隆, 松島英紀, 橋本隆夫, 荻野義明, 佐保田英司,
ブルーレーザアニール法によるS i薄膜の結晶化の走査速度依存性,
第71回応用物理学会学術講演会 (長崎大学, 2010年9月14-17日) p.13-152 [15p-ZD-12].
(oral:)
**TNoguchi_2010_JSAPau**
T. Noguchi, J. D. Mugiraneza, T. Okada, K. Shirai, T. Suzuki, H. Matsushima, T. Hashimoto, Y. Ogino, E. Sahota,
Lowering resistivity of sputtered Si films by BLDA (Blue-Multi->Laser-Diode-Annealing),
Journal
野口隆, Mugiraneza J.D., 岡田竜弥, 白井克弥, 鈴木俊治, 松島英紀, 橋本隆夫, 荻野義明, 佐保田英司,
BLDAによるスパッタSi薄膜の低抵抗化,
第71回応用物理学会学術講演会 (長崎大学, 2010年9月14-17日) p.13-153 [15p-ZD-13].
(oral:)
**JDMugiraneza_2010_JSAPau**
J. D. Mugiraneza, K. Shirai, T. Suzuki, T. Okada, T. Noguchi, H. Matsushima, T. Hashimoto, Y. Ogino, E. Sahota,
Characterization of sputtered Si films annealed by Blue-Multi-Laser-Diode Annealing (BLDA) for photo sensor application,
Journal
Mugiraneza J.D., 白井克弥, 鈴木俊治, 岡田竜弥, 野口隆, 松島英紀, 橋本隆夫, 荻野義明, 佐保田英司,
ブルーレーザアニールしたスパッタSi膜の特性評価,
第71回応用物理学会学術講演会 (長崎大学, 2010年9月14-17日) p.13-150 [15p-ZD-10].
(oral:)
**HTsutsui_2010_JSAPsp**
H. Tsutsui, T. Okada, S. Higashi, Y. Hiroshige, K. Matsumoto, S. Miyazaki and T. Noguchi,
Noncontact Measurement of Quartz Surface Temperature during Remote Hydrogen Plasma Exposure,
Journal
筒井啓喜, 岡田竜弥, 東清一郎, 広重康夫, 松本和也, 宮崎誠一, 野口隆,
リモート水素プラズマ処理における石英基板表面温度の非接触測定,
第57回応用物理学関係連合講演会 (東海大学, 2010年3月17-20日) p.08-089. [20a-ZB-2].
**KShirai_2010_JSAPsp**
K. Shirai, T. Okada, T. Noguchi, Y. Ogino, E. Sahota,
Thermal analysis of Si film crystallized by Blue-Multi-Laser-Diode Annealing (BLDA),
Journal
白井克弥, 岡田竜弥, 野口隆，荻野義明，佐保田英司,
ブルーレーザアニール法によるSi薄膜の結晶化の熱解析,
第57回応用物理学関係連合講演会 (東海大学, 2010年3月17-20日) p.13-203. [18a-D-6].
(oral:)
**YMiyazaki_2009_JSAPau**
Y. Miyazaki, K. Makihara, A. Kawanami, T. Okada, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki,
Selective Crystallization of a-Ge:H Thin Films by Remote H₂ Plasma Exposure After Pt Film Formation,
Journal
宮﨑裕介，牧原克典，川浪彰，岡田竜弥, 池田弥央，東清一郎，宮崎誠一,
リモート水素プラズマ支援による表面Pt被覆したa-Ge薄膜の局所結晶化,
第70回応用物理学会学術講演会 (富山大学, 2009年9月8-11日) p.?? [9a-TG-10].
**YHiroshige_2009_JSAPau1**
Y. Hiroshige, S. Higashi, T. Okada, K. Matsumoto and S. Miyazaki,
Improvement of Low-Temperature Deposited SiO₂ Film Quality by Thermal Plasma Jet Induced Millisecond Annealing,
Journal
広重康夫, 東清一郎, 岡田竜弥, 松本和也, 宮崎誠一,
熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理による低温形成SiO₂膜の高品質化,
第70回応用物理学会学術講演会 (富山大学, 2009年9月8-11日) p.?? [10p-N-13].
(8.3)
**YHiroshige_2009_JSAPau2**
Y. Hiroshige, S. Higashi, T. Okada, K. Matsumoto and S. Miyazaki,
Formation of High Quality SiO₂ and SiO₂/Si Interface using Thermal Plasma Jet Induced Millisecond Annealing and Post-Metallization Annealing,
Journal
広重康夫, 東清一郎, 岡田竜弥, 松本和也, 宮崎誠一,
熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理及びポストメタライゼーションアニールを用いた高品質SiO₂膜及びSiO₂/Si界面の形成,
第70回応用物理学会学術講演会 (富山大学, 2009年9月8-11日) p.?? [9p-TG-9].
(8.3)
**TOkada_2009_JSAPsp1**
T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, H. Furukawa and S. Miyazaki,
Formation of Si Nanocrystals in SiO_x Films Induced by Thermal Plasma Jet Millisecond Annealing and Its Application to Floating Gate Memory (II),
Journal
岡田竜弥, 東清一郎, 加久博隆, 古川弘和, 宮崎誠一,
SiO_x膜へのプラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるSiナノ結晶形成とそのフローティングゲートメモリ応用(II),
第56回応用物理学関係連合講演会 (筑波大学, 2009年3月30日-4月2日) p.877 [31a-T-6].
(Siプロセス技術)
**TOkada_2009_JSAPsp2**
T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, H. Furukawa and S. Miyazaki,
Formation of Si Nanocrystals in SiO_x Films Induced by Thermal Plasma Jet Millisecond Annealing and Its Charge Injection Characteristics,
Journal
岡田竜弥, 東清一郎, 加久博隆, 古川弘和, 宮崎誠一,
熱プラズマジェットミリ秒熱処理を用いたSiO_x薄膜からのSiナノ結晶形成とその電荷注入特性,
第56回応用物理学関係連合講演会 (筑波大学, 2009年3月30日-4月2日) p.234 [31a-ZT-1].
(プラズマエレクトロニクス)
**NKoba_2009_JSAPsp**
N. Koba, S. Higashi, T. Matsumoto, T. Okada, H. Kaku, H. Murakami and S. Miyazaki,
Formation of High Crystallinity Si Films by Micro Liquid Processing,
Journal
木庭直浩, 東清一郎, 松本竜弥, 岡田竜弥, 加久博隆, 村上秀樹, 宮崎誠一,
マイクロ融液プロセスによる高結晶性Siの形成,
第56回応用物理学関係連合講演会 (筑波大学, 2009年3月30日-4月2日) p.877 [31a-T-5].
**YHiroshige_2009_JSAPsp**
Y. Hiroshige, S. Higashi, T. Okada, H. Furukawa, K. Matsumoto and S. Miyazaki,
Improvement of SiO₂ Films by Thermal Plasma Jet Induced Millisecond Annealing (II),
Journal
広重康夫, 東清一郎, 岡田竜弥, 古川弘和, 松本和也, 宮崎誠一,
熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるSiO₂膜の膜質改善(II),
第56回応用物理学関係連合講演会 (筑波大学, 2009年3月30日-4月2日) p.884 [31p-T-16].
**KMatsumoto_2009_JSAPsp**
K. Matsumoto, S. Higashi, H. Furukawa, T. Okada and S. Miyazaki,
Activation of B in Si Wafer Induced by High Power Density Thermal Plasma Jet Millisecond Annealing,
Journal
松本和也, 東清一郎, 古川弘和, 岡田竜弥, 宮崎誠一,
高パワー密度熱プラズマジェット照射ミリ秒超急速熱処理によるSiウェハ中Bの活性化,
第56回応用物理学関係連合講演会 (筑波大学, 2009年3月30日-4月2日) p.881 [31p-T-6].
**TOkada_2008_JSAPau**
T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, H. Furukawa and S. Miyazaki,
Formation of Si Nanocrystals in SiO_x Films Induced by Thermal Plasma Jet Annealing and Its Application to Floating Gate Memory,
Journal
岡田竜弥, 東清一郎, 加久博隆, 古川弘和, 宮崎誠一,
SiO_x膜へのプラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるSiナノ結晶形成とそのフローティングゲートメモリ応用,
第69回応用物理学会学術講演会 (中部大学, 2008年9月2日-5日) p.745 [3p-CH-8].
(oral:Sep.3)
**NKoba_2008_JSAPau**
N. Koba, S. Higashi, T. Okada, H. Kaku, H. Murakami and S. Miyazaki,
Millisecond Heating and Cooling of Substrate Surface During Si Micro Liquid Processing,
Journal
木庭直浩, 東清一郎, 岡田竜弥, 加久博隆, 村上秀樹, 宮崎誠一,
Siマイクロ融液プロセスにおける基板表面のミリ秒昇降温特性,
第69回応用物理学会学術講演会 (中部大学, 2008年9月2日-5日) p.730 [2a-CH-4].
(oral:)
**HKaku_2008_JSAPau**
H. Kaku, S. Higashi, T. Okada and S. Miyazaki,
Crystallization of a-Ge thin Films During Millisecond Rapid Thermal Annealing Induced by Thermal Plasma Jet Irradiation,
Journal
加久博隆, 東清一郎, 岡田竜弥, 宮崎誠一,
熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるa-Ge薄膜の結晶化,
第69回応用物理学会学術講演会 (中部大学, 2008年9月2日-5日) p.731 [2a-CH-5].
(oral:)
**YYamamoto_2008_JSAPau**
Y. Yamamoto, S. Higashi, H. Kaku, T. Okada, H. Murakami and S. Miyazaki,
Solid Phase Crystallization of Amorphous Si Sub-micro Structure,
Journal
山本雄治, 東清一郎, 加久博隆, 岡田竜弥, 村上秀樹, 宮崎誠一,
アモルファスSi微細構造の固相結晶化,
第69回応用物理学会学術講演会 (中部大学, 2008年9月2日-5日) p.731 [2a-CH-6].
(oral:)
**HFurukawa_2008_JSAPau1**
H. Furukawa, S. Higashi, T. Okada, H. Murakami and S. Miyazaki,
Dopant Activation Induced by High Density Thermal Plasma Jet Millisecond Annealing,
Journal
古川弘和, 東清一郎, 岡田竜弥, 村上秀樹, 宮崎誠一,
高密度熱プラズマジェット照射ミリ秒急速熱処理による不純物活性化,
第69回応用物理学会学術講演会 (中部大学, 2008年9月2日-5日) p.736 [2p-CH-12].
(Siプロセス技術 oral:)
**HFurukawa_2008_JSAPau2**
H. Furukawa, S. Higashi, T. Okada, H. Murakami and S. Miyazaki,
Millisecond Rapid Thermal Annealing of Si Wafer Surface Induced by High Density Thermal Plasma Jet Irradiation,
Journal
古川弘和, 東清一郎, 岡田竜弥, 村上秀樹, 宮崎誠一,
高密度熱プラズマジェット照射によるSiウェハ表面のミリ秒急速熱処理,
第69回応用物理学会学術講演会 (中部大学, 2008年9月2日-5日) p.150 [2p-ZC-10].
(プラズマエレクトロニクス oral:)
**YHiroshige_2008_JSAPau**
Y. Hiroshige, S. Higashi, H. Kaku, T. Okada and S. Miyazaki,
Improvement of SiO₂ Films by Thermal Plasma Jet Induced Millisecond Annealing,
Journal
広重康夫, 東清一郎, 加久博隆, 岡田竜弥, 宮崎誠一,
熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるSiO₂膜の膜質改善,
第69回応用物理学会学術講演会 (中部大学, 2008年9月2日-5日) p.740 [3a-CH-2].
(oral:)
**TOkada_2008_JSAPsp**
T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, T. Yorimoto, H. Murakami and S. Miyazaki,
Photoluminescent Properties of SiO_x Films Formed by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,
Journal
岡田竜弥, 東清一郎, 加久博隆, 寄本拓也, 村上秀樹, 宮崎誠一,
プラズマCVDにより堆積したSiO_x薄膜からのフォトルミネッセンス,
第55回応用物理学関係連合講演会 (日本大学, 2008年3月27日-30日) p.883 [27p-G-2].
**HFurukawa_2008_JSAPsp**
H. Furukawa, S. Higashi, T. Okada, H. Kaku, H. Murakami and S. Miyazaki,
Millisecond Ultra Rapid Thermal Annealing of Si Wafer Surface Induced by High Density Thermal Plasma Jet Irradiation,
Journal
古川弘和, 東清一郎, 岡田竜弥, 加久博隆, 村上秀樹, 宮崎誠一,
高密度熱プラズマジェット照射によるSiウェハ表面のミリ秒超急速熱処理,
第55回応用物理学関係連合講演会 (日本大学, 2008年3月27日-30日) p.898 [29p-G-7].
**HKaku_2008_JSAPsp**
H. Kaku, S. Higashi, T. Yorimoto, H. Furukawa, T. Okada, H. Murakami and S. Miyazaki,
Dopant Activation in Si films in Millisecond Rapid Thermal Annealing Induced by Thermal Plasma Jet Irradiation (II),
Journal
加久博隆, 東清一郎, 寄本拓也, 古川弘和, 岡田竜弥, 村上秀樹, 宮崎誠一,
熱プラズマジェット照射ミリ秒急速熱処理によるSi 膜中ドーパントの活性化(II),
第55回応用物理学関係連合講演会 (日本大学, 2008年3月27日-30日) p.899 [29p-G-8].
**YHiroshige_2008_JSAPsp**
Y. Hiroshige, S. Higashi, T. Okada T. Yorimoto, and S. Miyazaki,
Low Temperature Formation of SiO₂ Films by Reactive Sputtering using Multi-Hollow Electrode,
Journal
広重康夫, 東清一郎, 岡田竜弥, 寄本拓也, 宮崎誠一,
マルチホロー電極を用いた反応性スパッタリングによるSiO₂膜の低温形成,
第55回応用物理学関係連合講演会 (日本大学, 2008年3月27日-30日) p.881 [27a-G-7].
**RMatsumoto_2008_JSAPsp**
R. Matsumoto, M. Ikeda, K. Makihara, A. Ohta, T. Okada, K. Shimanoe, S. Higashi and S. Miyazaki,
Electron Injection and Emission Characteristics of NiSi-Dots/Silicon-Quantum-Dots Stacked Hybrid Floating Gate in MOS Capacitors,
Journal
松本龍児, 池田弥央, 牧原克典, 大田晃生, 岡田竜弥, 島ノ江和広, 東清一郎, 宮崎誠一,
NiSiドット/Si量子ドット積層ハイブリッドフローティングゲートMOSキャパシタにおける電子注入・放出特性,
第55回応用物理学関係連合講演会 (日本大学, 2008年3月27日-30日) p.903 [27a-P2-5].
**RMatsumoto_2008_JSAPsp2**
R. Matsumoto, M. Ikeda, K. Makihara, A. Ohta, T. Okada, K. Shimanoe, S. Higashi and S. Miyazaki,
Charge Retention Characteristics of NiSi-Dots/Silicon-Quantum-Dots Stacked Hybrid Floating Gate MOS Capacitors,
Journal
松本龍児, 池田弥央, 牧原克典, 大田晃生, 岡田竜弥, 島ノ江和広, 東清一郎, 宮崎誠一,
NiSiドット/Si量子ドット積層ハイブリッドフローティングゲートMOSキャパシタにおける電荷保持特性,
第55回応用物理学関係連合講演会 (日本大学, 2008年3月27日-30日) p.904 [27a-P2-6].
**HFurukawa_2007_JSAPau**
H. Furukawa, S. Higashi, T. Okada, H. Kaku, H. Murakami and S. Miyazaki,
Noncontact Measurement of Si Wafer Surface Temperature in Millisecond Thermal Annealing,
Journal
古川弘和, 東清一郎, 岡田竜弥, 加久博隆, 村上秀樹, 宮崎誠一,
ミリ秒急速熱処理におけるSiウェハ表面温度の非接触測定,
第68回応用物理学会学術講演会 (北海道工業大学, 2007年9月4日-8日) p.849 [4a-P2-14].
**HKaku_2007_JSAPau**
H. Kaku, S. Higashi, H. Furukawa, T. Okada, T. Yorimoto, H. Murakami and S. Miyazaki,
Dopant Activation in Si films in Millisecond Rapid Thermal Annealing Induced by Thermal Plasma Jet Irradiation,
Journal
加久博隆, 東清一郎, 古川弘和, 岡田竜弥, 寄本拓也, 村上秀樹, 宮崎誠一,
熱プラズマジェット照射ミリ秒急速熱処理によるSi 膜中ドーパントの活性化,
第68回応用物理学会学術講演会 (北海道工業大学, 2007年9月4日-8日) p.854 [5a-P6-5].
**TOkada_2007_JSAPau**
Authors,
Photoluminescence of SiO_x Films Annealed by Thermal Plasma Jet Induced Ultrarapid Annealing,
Journal
岡田竜弥, 東清一郎, 加久博隆, 寄本拓也, 村上秀樹, 宮崎誠一,
熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理したSiO_x薄膜のフォトルミネッセンス,
第68回応用物理学会学術講演会 (北海道工業大学, 2007年9月4日-8日) p.869 [6a-P10-35].
**TYorimoto_2007_JSAPau**
T. Yorimoto, S. Higashi, H. Kaku, T. Okada, H. Murakami and S. Miyazaki,
Evaluation of Defect Density in Si Films Crystallized by Thermal Plasma Jet Irradiation (II),
Journal
寄本拓也, 東清一郎, 加久博隆, 岡田竜弥, 村上秀樹, 宮崎誠一,
熱プラズマジェット結晶化Si膜の欠陥密度評価(II),
第68回応用物理学会学術講演会 (北海道工業大学, 2007年9月4日-8日) p. 848 [4a-P2-11].
**KSugakawa_2007_JSAPau**
K. Sugakawa, S. Higashi, H. Kaku, T. Okada, H. Murakami and S. Miyazaki,
In-situ Observation of Millisecond Rapid Phase Transformation of Amorphous Ge Films Induced by Semiconductor Diode Laser Irradiation,
Journal
菅川賢治, 東清一郎, 加久博隆, 岡田竜弥, 村上秀樹, 宮崎誠一,
半導体レーザ光照射ミリ秒急速熱処理によるa-Ge:H 膜の相変化過程のその場観測,
第68回応用物理学会学術講演会 (北海道工業大学, 2007年9月4日-8日) p.867 [6a-P10-29].
**RMatsumoto_2007_JSAPau**
R. Matsumoto, M. Ikeda, K. Makihara, T. Okada, K. Shimanoe, S. Higashi and S. Miyazaki,
Charge Injection Characteristics of NiSi-Dot/Silicon-Quantum-Dot Stacked Floating Gate in MOS Capacitors,
Journal
松本龍児, 池田弥央, 牧原克典, 岡田竜弥, 島ノ江和広, 東清一郎, 宮崎誠一,
NiSiドット/Si量子ドット積層フローティングゲートMOS キャパシタにおける電荷注入特性,
第68回応用物理学会学術講演会 (北海道工業大学, 2007年9月4日-8日) p.876 [6a-ZE-4].
**TOkada_2007_JSAPsp**
Authors,
Photoluminescent Properties of SiO_x Films Treated by Thermal Plasma Jet Induced Ultrarapid Thermal Annealing,
Journal
岡田竜弥, 東清一郎, 加久博隆, 寄本拓也, 村上秀樹, 宮崎誠一,
熱プラズマジェット照射により超急速熱処理したSiO_x薄膜のフォトルミネッセンス,
第54回応用物理学関係連合講演会 (青山学院大学, 2007年3月27日-30日) p.899 [28p-SM-15].
**HKaku_2007_JSAPsp**
H. Kaku, S. Higashi, H. Furukawa, T. Okada, T. Yorimoto, H. Murakami and S. Miyazaki,
Activation of Dopants in Si films During Ultra rapid Thermal Annealing Induced by Thermal Plasma Jet Irradiation,
Journal
加久博隆, 東清一郎, 古川弘和, 岡田竜弥, 寄本拓也, 村上秀樹, 宮崎誠一,
熱プラズマジェット照射超急速熱処理によるSi膜中ドーパントの活性化,
第54回応用物理学関係連合講演会 (青山学院大学, 2007年3月27日-30日) p.907 [29p-SM-4].
**TYorimoto_2007_JSAPsp**
T. Yorimoto1, S. Higashi1, H. Kaku1, T. Okada1, H. Murakami1, S. Miyazaki1, T. Matsui2, A. Masuda2, M. Kondo2,
Evaluation of Defect Density in Si Films Crystallized by Thermal Plasma Jet Irradiation,
Journal
寄本拓也1, 東清一郎1, 加久博隆1, 岡田竜弥1, 村上秀樹1, 宮崎誠一1, 松井卓矢2, 増田淳2, 近藤道雄2,
熱プラズマジェット結晶化Si膜の欠陥密度評価,
第54回応用物理学関係連合講演会 (青山学院大学, 2007年3月27日-30日) p. 917 [30p-SM-1].
**KSakaike_2007_JSAPsp**
K. Sakaike, S. Higashi, T. Okada, H. Murakami and S. Miyazaki,
In-situ Observation of Phase Transformation of a-Ge Films Induced by Semiconductor Diode Laser Irradiation,
Journal
酒池耕平, 東清一郎, 岡田竜弥, 村上秀樹, 宮崎誠一,
半導体レーザ光照射によるa-Ge:H膜のミリ秒時間相変化過程のその場観測,
第54回応用物理学関係連合講演会 (青山学院大学, 2007年3月27日-30日) p.898 [28p-SM-14].
**HKaku_2006_JSAPau**
Authors,
Title,
Journal
加久博隆, 東清一郎, 岡田竜弥, 村上秀樹, 宮崎誠一,
熱プラズマジェット照射によるa-Si膜のミリ秒相変化温度の測定,
応用物理学会中国四国支部 2006年度支部学術講演会 (徳島大学, 2006年7月29日) p. 115 [B-a-2].
**TOkada_2006_JSAPau**
Authors,
Formation of Si Nanocrystals from SiO_x Films Induced by Rapid Thermal Annealing Using Thermal Plasma Jet,
Journal
岡田竜弥, 東清一郎, 加久博隆, 寄本拓也, 村上秀樹, 宮崎誠一,
熱プラズマジェットを用いたSiO_x薄膜の急速熱処理によるSiナノ結晶成長,
第67回応用物理学会学術講演会 (立命館大学, 2006年8月29日-9月1日) p.777 [31p-ZQ-1].
**TYorimoto_2006_JSAPau**
T. Yorimoto1, S. Higashi1, H. Kaku1 ,T. Okada1, H. Murakami1, S. Miyazaki1, M. Maki2, T. Sameshima2,
Electric Characteristics of Lightly Doped Si Films Crystalized by Thermal Plazma Jet Irradiation,
Journal
寄本拓也1, 東清一郎1, 加久博隆1, 岡田竜弥1, 村上秀樹1, 宮崎誠一1, 牧正人2, 鮫島俊之2,
熱プラズマジェット結晶化微量ドープSi 膜の電気特性評価,
第67回応用物理学会学術講演会 (立命館大学, 2006年8月29日-9月1日) p. 762 [29p-ZQ-10].
**HKaku_2006_JSAPsp**
Authors,
Title,
Journal
加久博隆, 東清一郎, 岡田竜弥, 村上秀樹, 宮崎誠一,
熱プラズマジェット照射によるa-Si膜のミリ秒領域相変化過程の直接観測,
第53回応用物理学会学術講演会 (武蔵工業大学, 2006年3月22日-26日) p.890 [22p-W-3].
**TOkada_2006_JSAPsp**
Authors,
Control of Si Nano-crystal Formation from SiO_x Films Induced by Rapid Thermal Annealing Using Thermal Plasma Jet,
Journal
岡田竜弥, 東清一郎, 加久博隆, 木庭直浩, 村上秀樹, 宮崎誠一,
熱プラズマジェットを用いた急速熱処理によるSiO_x薄膜からのSiナノ結晶成長制御,
第53回応用物理学会学術講演会 (武蔵工業大学, 2006年3月22日-26日) p.909 [24p-W-5].
**KSakaike_2006_JSAPsp**
K. Sakaike, S. Higashi, H. Kaku, T. Okada, H. Murakami and S. Miyazaki,
Rapid Thermal Annealing of Microcrystalline Si Films Using Semiconductor Diode Laser,
Journal
酒池耕平, 東清一郎, 加久博隆, 岡田竜弥, 村上秀樹, 宮崎誠一,
半導体レーザによる微結晶Si膜の急速熱処理,
第53回応用物理学会学術講演会 (武蔵工業大学, 2006年3月22日-26日) p.968 [23a-Y-10].
**NKoba_2006_JSAPsp**
N. Koba, S. Higashi, T. Okada, H. Kaku, H. Murakami and S. Miyazaki,
Characterization of Substrate Surface Temperature in He Added Ar Thermal Plasma Jet Annealing,
Journal
木庭直浩, 東清一郎, 岡田竜弥, 加久博隆, 村上秀樹, 宮崎誠一,
He添加Ar熱プラズマジェット熱処理による基板温度特性評価,
第53回応用物理学会学術講演会 (武蔵工業大学, 2006年3月22日-26日) p.890 [22p-W-2].
**TOkada_2005_JSAPau**
Authors,
Control of Substrate Surface Temperature under Short Time Annealing by Thermal Plasma Jet,
Journal
岡田竜弥, 東清一郎, 加久博隆, 木庭直浩, 村上秀樹, 宮崎誠一,
熱プラズマジェット照射短時間熱処理における基板表面温度制御,
第66回応用物理学会学術講演会 (徳島大学, 2005年9月7日-10日) p.712 [9a-A-9].
**HKaku_2005_JSAPau**
Authors,
Title,
Journal
加久博隆, 東清一郎, 岡田竜弥, 村上秀樹, 宮崎誠一,
熱プラズマジェット照射によるミリ秒領域でのSi薄膜結晶化過程の解析,
第66回応用物理学会学術講演会 (徳島大学, 2005年9月7～10日) p.713 [9a-A-10].
**SHigashi_2005_JSAPau**
S. Higashi, N. Fujii, T. Okada, N. Koba, H. Murakami and S. Miyazaki,
Formation of nano-sized Si crystals by millisecond annealing of SiO_x films,
Journal
東清一郎, 藤井直人, 岡田竜弥, 木庭直弘, 村上秀樹, 宮崎誠一,
SiO_x薄膜のミリ秒高温熱処理によるSiナノ結晶作製,
第66回応用物理学会学術講演会 (徳島大学, 2005年9月7～10日) p.?? [10p-ZN-4].
**HKaku_2005_JSAPsp**
Authors,
Title,
Journal
加久博隆, 東清一郎, 岡田竜弥, 村上秀樹, 宮崎誠一,
熱プラズマジェット照射による極薄Si膜の結晶化,
第52回応用物理学関係連合講演会 (埼玉大学, 2005年3月29日～4月1日) p.947 [29a-R-9].
**TOkada_2005_JSAPsp**
Authors,
Numerical Calculation of Short Time Heating Process by Thermal Plasma Jet,
Journal
岡田竜弥, 加久博隆, 村上秀樹, 東清一郎, 宮崎誠一,
熱プラズマジェットによる短時間熱処理過程の温度解析,
第52回応用物理学関係連合講演会 (埼玉大学, 2005年3月29日-4月1日) p.1016 [30a-N-7].

研究会

**KShirai_2012_SDM**
Authors,
Title,
Journal
白井克弥, ムジラネザジャンドュデュ, 鈴木俊治, 岡田竜弥, 野口隆, 松島英紀, 橋本隆夫, 荻野義明, 佐保田英司,
青色半導体レーザアニールによる薄膜シリコンの結晶状態の制御,
シリコン材料・デバイス研究会(SDM) (沖縄県青年会館, 2012年4月27-28日) pp. 33-36 [SDM2012-7 (OME2012-7)].
**TOkada_2012_SDM**
Authors,
Title,
Journal
岡田竜弥, ムジラネザジャンドュデュ, 白井克弥, 鈴木俊治, 野口隆, 松島英紀, 橋本隆夫, 荻野義明, 佐保田英司,
青色半導体レーザアニールによるポリイミド基板上薄膜シリコンの結晶化,
シリコン材料・デバイス研究会(SDM) (沖縄県青年会館, 2012年4月27-28日) pp. 37-39 [SDM2012-8 (OME2012-8)].
**KYagi_2012_SDM**
Authors,
Title,
Journal
屋宜佳佑, 岡田竜弥, 野口隆,
RFスパッタ法により製膜したSiO2及びSiN薄膜の電気特性評価,
シリコン材料・デバイス研究会(SDM) (沖縄県青年会館, 2012年4月27-28日) pp. 75-77 [SDM2012-17 (OME2012-17)].
**TNishinohara_2012_SDM**
Authors,
Title,
Journal
西ノ原拓磨, ジャンデデュウムジラネザ, 白井克弥, 鈴木俊治, 岡田竜弥, 野口隆, 大鉢忠, 松島英紀, 橋本隆夫, 荻野義明, 佐保田英司,
高性能ポリシリコンTFTに向けたスパッタ成膜したリンドープシリコン膜の結晶化,
シリコン材料・デバイス研究会(SDM) (沖縄県青年会館, 2012年4月27-28日) pp. 79-82 [SDM2012-18 (OME2012-18)].
**KYagi_2012_Okinawa**
Authors,
Title,
Journal
屋冝佳佑, 岡田竜弥, 野口隆,
RFスパッタ法により室温製膜SiO₂およびSiN薄膜の熱処理前後の電気特性評価,
平成23年度琉大工学部・沖縄高専専攻科学生研究発表会 (沖縄工業高等専門学校, 2012年2月1日) p.16.
**TNishinohara_2012_Okinawa**
Authors,
Title,
Journal
西ノ原拓磨, 知念怜, J. D. Mugiraneza, 白井克弥, 岡田竜弥, 野口隆, 大鉢忠,
ＴＦＴ高性能化のためのＳｉ薄膜結晶化と活性化に関する研究,
平成23年度琉大工学部・沖縄高専専攻科学生研究発表会 (沖縄工業高等専門学校, 2012年2月1日) p.15.
**TMukae_2012_Okinawa**
Authors,
Title,
Journal
向智之, 杉原弘也, 知念偉久篤, MUGIRANEZA J. DIEW, 白井克弥, 岡田竜弥, 野口隆,
Poly-Si TFTに関する研究,
平成23年度琉大工学部・沖縄高専専攻科学生研究発表会 (沖縄工業高等専門学校, 2012年2月1日) p.14.
**TOkada_2011_G1**
Authors,
Title,
Journal
岡田竜弥, Mugiraneza J. D., 白井克弥, 鈴木俊治, 野口隆, 松島英紀, 橋本隆夫, 荻野義明, 佐保田英司,
青色レーザアニールを用いたSi結晶化における膜厚依存性,
附置研究所間アライアンス「次世代エレクトロニクス」グループ(G1)分科会(琉球大学ジョイントシンポジウム) (沖縄コンベンションセンター, 2011年5月11-13日) p.81.
**TOkada_2010_SDM**
T. Okada, S. Higashi, K. Makihara, Y. Hiroshige, S. Miyazaki,
Formation of Si Nanocrystals in SiO_x Films Induced by Thermal Plasma Jet Millisecond Annealing and Its Application to Floating Gate Memory,
Journal
岡田竜弥, 東清一郎, 牧原克典, 広重康夫, 宮崎誠一,
SiO_x薄膜への熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるSiナノ結晶形成とそのフローティングゲートメモリ応用,
シリコン材料・デバイス研究会(SDM) (沖縄県青年会館, 2010年2月22-23日) pp. 29-33 [SDM2009-198 (ED2009-201)].
(oral: Feb.22)
**YHiroshige_2009_PSS**
Y. Hiroshige, S. Higashi, H. Kaku, H. Furukawa, T. Okada and S. Miyazaki,
Improvement of Bond Structure and Electrical Properties of Low-Temperature Deposited SiO₂ Films by Thermal Plasma Jet Induced Millisecond Annealing,
Plasma Science Symposium 2009 and The 26th Symposium on Plasma Processing (PSS-2009/SPP-26) (Nagoya University, February 2-4, 2009) pp. 496-497 [P3-41].
広重康夫, 東清一郎, 加久博隆, 古川弘和, 岡田竜弥, 宮崎誠一,
熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理による低温形成SiO₂膜の結合状態および電気特性の改善,
プラズマ科学シンポジウム2009/第26回プラズマプロセシング研究会 (名古屋大学, 2009年2月2日-4日) pp. 496-497 [P3-41].
((poster:Feb. 4))
**HKaku_2008_PE**
Authors,
Title,
Journal
加久博隆, 東清一郎, 岡田竜弥, 古川弘和, 宮崎誠一,
大気圧熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるアモルファスSi薄膜の結晶化とTFT応用,
第2回プラズマ新領域研究会『プラズマ生成と薄膜低温プロセス応用』(広島大学, 2008年12月19日) pp. 32-38.
**HFurukawa_2008_PE**
Authors,
Title,
Journal
古川弘和, 東清一郎, 岡田竜弥, 宮崎誠一,
大気圧熱プラズマジェットを用いたSiウエハ表面のミリ秒熱処理による極浅接合形成,
第2回プラズマ新領域研究会『プラズマ生成と薄膜低温プロセス応用』(広島大学, 2008年12月19日) pp. 41-43.
**TOkada_2008_TFMD**
T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, H. Furukawa and S. Miyazaki,
Formation of Si Nanocrystals in SiO_x Films Induced by Thermal Plasma Jet Annealing and Its Application to Floating Gate Memory,
Journal
岡田竜弥, 東清一郎, 加久博隆, 古川弘和, 宮崎誠一,
SiO_x膜への熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるSiナノ結晶形成とそのフローティングゲートメモリ応用,
薄膜材料デバイス研究会第5回研究集会「薄膜材料・デバイスの徹底比較」(奈良, 2008年10月31日-11月1日) pp. 106-108 [P07].
**HKaku_2008_TFMD**
H. Kaku, S. Higashi, T. Okada and S. Miyazaki,
Crystallization of a-Ge thin Films During Millisecond Rapid Thermal Annealing Induced by Thermal Plasma Jet Irradiation,
Journal
加久博隆, 東清一郎, 岡田竜弥, 宮崎誠一,
熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるa-Ge薄膜の結晶化,
薄膜材料デバイス研究会第5回研究集会「薄膜材料・デバイスの徹底比較」(奈良, 2008年10月31日-11月1日) pp. 109-111 [P08].
**HFurukawa_2008_TFMD**
H. Furukawa, S. Higashi, T. Okada, H. Murakami and S. Miyazaki,
Formation of Ultra Shallow Junction Using High Density Thermal Plasma Jet Millisecond Annealing,
Journal
古川弘和, 東清一郎, 岡田竜弥, 村上秀樹, 宮崎誠一,
高密度熱プラズマジェット照射ミリ秒急速熱処理による極浅接合形成,
薄膜材料デバイス研究会第5回研究集会「薄膜材料・デバイスの徹底比較」(奈良, 2008年10月31日-11月1日) pp. 112-114 [P10].
**NKoba_2008_TFMD**
N. Koba, S. Higashi, T. Okada, H. Kaku, H. Murakami and S. Miyazaki,
Millisecond Heating and Cooling of Substrate Surface During Si Micro Liquid Processing,
Journal
木庭直浩, 東清一郎, 岡田竜弥, 加久博隆, 村上秀樹, 宮崎誠一,
Siマイクロ融液プロセスにおける基板表面のミリ秒昇降温特性,
薄膜材料デバイス研究会第5回研究集会「薄膜材料・デバイスの徹底比較」(奈良, 2008年10月31日-11月1日) pp. 115-117 [P11].
**YYamamoto_2008_TFMD**
Y. Yamamoto, S. Higashi, H. Kaku, T. Okada, H. Murakami and S. Miyazaki,
Solid Phase Crystallization of Amorphous Silicon Sub-micron Structure,
Journal
山本雄治, 東清一郎, 加久博隆, 岡田竜弥, 村上秀樹, 宮崎誠一,
アモルファスSi微細構造の固相結晶化,
薄膜材料デバイス研究会第5回研究集会「薄膜材料・デバイスの徹底比較」(奈良, 2008年10月31日-11月1日) pp. 121-122 [P13].
**YHiroshige_2008_TFMD**
Y. Hiroshige, S. Higashi, T. Okada, H. Kaku and S. Miyazaki,
Improvement of SiO₂ Film Properties by Thermal Plasma Jet Induced Millisecond Annealing,
Journal
広重康夫, 東清一郎, 岡田竜弥, 加久博隆, 宮崎誠一,
熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるSiO₂膜の膜質改善,
薄膜材料デバイス研究会第5回研究集会「薄膜材料・デバイスの徹底比較」(奈良, 2008年10月31日-11月1日) pp. 233-235 [P67].
**HFurukawa_2007_SDM**
H. Furukawa, S. Higashi, T. Okada, H. Kaku, H. Murakami and S. Miyazaki,
In-situ Measurement of Temperature Variation in Si Wafer during Millisecond Rapid Thermal Annealing,
Journal
古川弘和, 東清一郎, 岡田竜弥, 加久博隆, 村上秀樹, 宮崎誠一,
ミリ秒急速熱処理におけるSiウェハ内温度変化のその場観測,
シリコン材料・デバイス研究会(SDM)(奈良先端科学技術大学院大学, 2007年12月14日) 電子情報通信学会技術研究報告 Vol.107 No.388 pp. 27-29 [SDM2007-228].
**TOkada_2007_MRSJ**
T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, T. Yorimoto, H. Murakami and S. Miyazaki,
Photoluminescence of SiO_x Films Annealed by Millisecond Irradiation of Thermal Plasma Jet,
18th Symposium of MRS Japan (Tokyo, December 7-9, 2007) p. 197 [H-19-D].
岡田竜弥, 東清一郎, 加久博隆, 寄本拓也, 村上秀樹, 宮崎誠一,
熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理したSiO_x薄膜のフォトルミネッセンス,
第18回日本MRS学術シンポジウム
([This paper received "Award for Encouragement of Research of Materials Science (Young Scientist)"](oral))
**TOkada_2007_TFMD**
T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, T. Yorimoto, H. Murakami and S. Miyazaki,
Photoluminescence of SiO_x Films Annealed by Thermal Plasma Jet Induced Ultrarapid Annealing,
Journal
岡田竜弥, 東清一郎, 加久博隆, 寄本拓也, 村上秀樹, 宮崎誠一,
熱プラズマジェットミリ秒熱処理したSiO_x薄膜のフォトルミネッセンス,
薄膜材料デバイス研究会第4回研究集会「明日の電子デバイスを支える薄膜新材料」(龍谷大学, 2007年11月2日-3日) pp. 150-151 [P-13].
**HFurukawa_2007_TFMD**
Authors,
In-situ Measurement of Temperature Variation in Si Wafer During Millisecond Rapid Thermal Annealing Induced by Thermal Plasma Jet Irradiation,
Journal
古川弘和, 東清一郎, 岡田竜弥, 加久博隆, 村上秀樹, 宮崎誠一,
熱プラズマジェットを用いたミリ秒急速熱処理におけるSiウェハ内温度変化のその場観測,
薄膜材料デバイス研究会第4回研究集会「明日の電子デバイスを支える薄膜新材料」(龍谷大学, 2007年11月2日-3日) pp. 152-154 [P-14].
**HKaku_2007_TFMD**
Authors,
Title,
Journal
加久博隆, 東清一郎, 古川弘和, 岡田竜弥, 寄本拓也, 村上秀樹, 宮崎誠一,
熱プラズマジェット照射超急速熱処理によるSi膜中ドーパントの活性化,
薄膜材料デバイス研究会第4回研究集会「明日の電子デバイスを支える薄膜新材料」(龍谷大学, 2007年11月2日-3日) pp. 164-166 [P-19].
**TYorimoto_2007_TFMD**
Authors,
Title,
Journal
寄本拓也, 東清一郎, 加久博隆, 岡田竜弥, 村上秀樹, 宮崎誠一, 松井卓矢, 増田淳, 近藤道雄,
熱プラズマジェット結晶化Poly-Si膜の欠陥密度評価,
薄膜材料デバイス研究会第4回研究集会「明日の電子デバイスを支える薄膜新材料」(龍谷大学, 2007年11月2日-3日) pp. 161-163 [P-18].
**TOkada_2007_amosemi**
Authors,
Title,
Journal
岡田竜弥, 東清一郎, 加久博隆, 寄本拓也, 村上秀樹, 宮崎誠一,
熱プラズマジェットを用いたSiO_x薄膜の急速熱処理によるSi結晶成長,
第34回アモルファスセミナー(宮城, 2007年9月27日-29日) p.1 [2.1]
**HKaku_2007_amosemi**
Authors,
Title,
Journal
加久博隆, 東清一郎, 古川弘和, 岡田竜弥, 寄本拓也, 村上秀樹, 宮崎誠一,
PドープSi膜の熱プラズマジェット結晶化による膜中ドーパントの高効率活性化,
第34回アモルファスセミナー(宮城, 2007年9月27日-29日) p.2 [2.3]
**TYorimoto_2007_amosemi**
Authors,
Title,
Journal
寄本拓也, 東清一郎, 加久博隆, 岡田竜弥, 村上秀樹, 宮崎誠一, 松井卓矢, 増田淳, 近藤道雄,
熱プラズマジェット結晶化Si膜の欠陥密度評価,
第34回アモルファスセミナー(宮城, 2007年9月27日-29日) p.1 [2.2]
**SHigashi_2007_COE**
S. Higashi, H. Kaku, T. Okada, T. Yorimoto, H. Murakami and S. Miyazaki,
Ultrarapid Thermal Annealing Induced by DC Arc Discharge Plasma Jet Irradiation,
Ext. Abs. Fifth Hiroshima Int. Workshop on Nanoelectronics for Tera-Bit Information Processing, (Tokyo, Japan, January 29-30, 2007) pp. 68-69.
**TOkada_2006_SDM**
Authors,
Title,
Journal
岡田竜弥, 東清一郎, 加久博隆, 寄本拓也, 村上秀樹, 宮崎誠一,
SiO_x薄膜の超急速熱処理によるSi結晶形成およびその発光特性評価,
シリコン材料・デバイス研究会(SDM)(京都大学, 2006年12月14日) pp. 61-63 [SDM2006-212].
**HKaku_2005_TFMD**
Authors,
Title,
Journal
加久博隆, 東清一郎, 岡田竜弥, 村上秀樹, 宮崎誠一,
熱プラズマジェット照射によるミリ秒領域でのSi薄膜結晶化過程の解析,
薄膜材料デバイス研究会第2回研究集会「低温プロセス技術の再発見」(龍谷大学, 2005年11月4日-5日) p.44 [A-9].
**TOkada_2005_TFMD**
Authors,
Title,
Journal
岡田竜弥, 東清一郎, 加久博隆, 木庭直浩, 村上秀樹, 宮崎誠一,
熱プラズマジェット照射短時間熱処理における基板表面温度制御,
薄膜材料デバイス研究会第2回研究集会「低温プロセス技術の再発見」(龍谷大学, 2005年11月4日-5日) p. 45 [A-10].
**TOkada_2006_TFMD**
Authors,
Title,
Journal
岡田竜弥, 東清一郎, 加久博隆, 寄本拓也, 村上秀樹, 宮崎誠一,
熱プラズマジェットを用いたSiO_x薄膜の急速熱処理によるSi結晶成長,
薄膜材料デバイス研究会第3回研究集会「薄膜デバイスの新展開」(奈良, 2006年11月10日-11日) pp. 107-108 [B-20].
**HKaku_2006_TFMD**
Authors,
Title,
Journal
加久博隆, 東清一郎, 岡田竜弥, 村上秀樹, 宮崎誠一,
a-Si膜の熱プラズマジェット結晶化における基板加熱効果,
薄膜材料デバイス研究会第3回研究集会「薄膜デバイスの新展開」(奈良, 2006年11月10日-11日) pp. 136-138 [B-31].
**TYorimoto_2006_TFMD**
Authors,
Title,
Journal
寄本拓也, 東清一郎, 加久博隆, 岡田竜弥, 村上秀樹, 宮崎誠一, 牧正人, 鮫島俊之,
熱プラズマジェット結晶化微量ドープSi膜の欠陥評価,
薄膜材料デバイス研究会第3回研究集会「薄膜デバイスの新展開」(奈良, 2006年11月10日-11日) pp. 130-132 [B-29].
**KSakaike_2006_TFMD**
Authors,
Title,
Journal
酒池耕平, 東清一郎, 岡田竜弥, 村上秀樹, 宮崎誠一,
CW半導体レーザ照射によるa-Ge:H膜の結晶化,
薄膜材料デバイス研究会第3回研究集会「薄膜デバイスの新展開」(奈良, 2006年11月10日-11日) pp. 93-94 [B-11].
**HKaku_2005_COE**
H. Kaku, S. Higashi, T. Okada, H. Murakami and S. Miyazaki,
Phase Transformation of Amorphous Si Films in Millisecond Time Domain Induced by Thermal Plasma Jet Irradiation,
Ext. Abst. of the 4th Hiroshima Int. Workshop on 21th Century COE, Nanoelectronics for Tera-bit Information Processing (Hiroshima, Sep. 16, 2005) pp. 108-109 [P-38].
**TOkada_2005_COE**
T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, N. Koba, H. Murakami and S. Miyazaki,
Analysis of Transient Temperature Profile During Thermal Plasma Jet Annealing of Si Films on Quartz Substrate,
Ext. Abst. of the 4th Hiroshima Int. Workshop on 21th Century COE, Nanoelectronics for Tera-bit Information Processing (Hiroshima, Sep. 16, 2005) pp. 114-115 [P-41].
**HKaku_2005_SPSM**
H. Kaku, S. Higashi, T. Okada, H. Murakami and S. Miyazaki,
Phase Transformation of Amorphous Si Films in Millisecond Time Domain Induced by Thermal Plasma Jet Irratiation,
Abst. of The 18th Symposium on Plasma Science for Materials (Tokyo, June 28-29, 2005) pp. 17-18 [B1-9].

University

**TOkada_2009_DThesis**
T. Okada,
Formation of Silicon Nanocrystals by Thermal Plasma Jet Induced Millisecond Annealing and Its Application to Floating-Gate Memories,
Doctoral Thesis (Hiroshima University)
岡田竜弥,
熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるシリコンナノ結晶形成とそのフローティングゲートメモリ応用,
博士論文(広島大学) (2009)
(2009.9)
**TOkada_2007_MThesis**
Authors,
Title,
Journal
岡田竜弥,
熱プラズマジェットを用いた超急速熱処理における基板温度制御とSiO_x薄膜からのSi結晶成長,
修士論文(広島大学) (2007)
(2007.2)
**TOkada_2005_BThesis**
Authors,
Title,
Journal
岡田竜弥,
熱プラズマジェットを用いた短時間熱処理における昇降温特性,
卒業論文(広島大学) (2005)
(2005.2)